《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》主要研究分析了半導(dǎo)體功率器件行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)行態(tài)勢(shì)并對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)作出預(yù)測(cè)。報(bào)告首先介紹了半導(dǎo)體功率器件行業(yè)的相關(guān)知識(shí)及國(guó)內(nèi)外發(fā)展環(huán)境,并對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)運(yùn)行數(shù)據(jù)進(jìn)行了剖析,同時(shí)對(duì)半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)行了梳理,進(jìn)而詳細(xì)分析了半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局及半導(dǎo)體功率器件行業(yè)標(biāo)桿企業(yè),最后對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展前景作出預(yù)測(cè),給出針對(duì)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展的獨(dú)家建議和策略?!?008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》給客戶提供了可供參考的具有借鑒意義的發(fā)展建議,使其能以更強(qiáng)的能力去參與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》的整個(gè)研究工作是在系統(tǒng)總結(jié)前人研究成果的基礎(chǔ)上,密切聯(lián)系國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)運(yùn)行狀況和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài),圍繞半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展態(tài)勢(shì)及前景、技術(shù)現(xiàn)狀及趨勢(shì)等幾個(gè)方面進(jìn)行分析得出研究結(jié)果。
《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》在具體研究中,采用定性與定量相結(jié)合、理論與實(shí)踐相結(jié)合的方法,充分運(yùn)用國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、海關(guān)總署、半導(dǎo)體功率器件相關(guān)相關(guān)行業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)資料進(jìn)行定量分析,并進(jìn)行市場(chǎng)調(diào)查,主要以半導(dǎo)體功率器件企業(yè)和主要的交易市場(chǎng)為目標(biāo),采取多次詢問比較的方式確認(rèn)有效程度。
一、2008年全球功率器件市場(chǎng)概述
?。ㄒ唬?市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
?。ǘ?基本特點(diǎn)
(三) 主要國(guó)家與地區(qū)
1、美國(guó)
2、歐洲
3、日本
4、亞太(不含日本)
二、2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)概述
?。ㄒ唬?市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
(二) 基本特點(diǎn)
1、中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速繼續(xù)下滑
2、電源管理IC市場(chǎng)發(fā)展趨緩,網(wǎng)絡(luò)通信應(yīng)用增速最慢
轉(zhuǎn)-自:http://m.hczzz.cn/R_2009-07/2008_2009bandaotigonglvqijianshichan.html
3、MOSFET和IGBT仍是市場(chǎng)需求增速最快的兩類產(chǎn)品
?。ㄈ?市場(chǎng)結(jié)構(gòu)分析
1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
3、品牌結(jié)構(gòu)
三、2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析
?。ㄒ唬?2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)分析
(二) 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
四、2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè)
?。ㄒ唬?產(chǎn)品與技術(shù)
1、小型封裝產(chǎn)品快速發(fā)展
2、良好的散熱性能以及更高的功率密度成為封裝發(fā)展方向
3、無制造廠模式取得快速發(fā)展
4、電源管理IC將向集成化發(fā)展
?。ǘ?價(jià)格
?。ㄈ?渠道
五、2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品研究
?。ㄒ唬?MOSFET
1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
2、電壓結(jié)構(gòu)
3、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
4、封裝結(jié)構(gòu)
5、電流結(jié)構(gòu)
6、功能結(jié)構(gòu)
7、品牌結(jié)構(gòu)
?。ǘ?IGBT
1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)
3、電壓結(jié)構(gòu)
4、封裝結(jié)構(gòu)
2008-2009 Market Annual Report of the semiconductor power devices
5、品牌結(jié)構(gòu)
?。ㄈ?電源管理IC
1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)
2、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)
3、品牌結(jié)構(gòu)
六、中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力分析
?。ㄒ唬?整體競(jìng)爭(zhēng)格局
?。ǘ?重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略與SWOT分析
1、Fairchild
2、ST
3、TI
4、On Semiconductor
5、Infineon
6、IR
7、Vishay
七、建議
1、中國(guó)企業(yè)要謹(jǐn)慎導(dǎo)入MOSFET產(chǎn)品
2、降低企業(yè)生產(chǎn)成本
3、實(shí)現(xiàn)差異化生產(chǎn)避免惡性競(jìng)爭(zhēng)
《2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告》說明
表目錄
表1 2004-2008年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模
表2 2004-2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
表3 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
表4 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表5 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表6 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)分析
表7 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
表8 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
表9 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
表10 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
表11 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
2008-2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告
表12 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
表13 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表14 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表15 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表16 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表17 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
表18 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
表19 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
表20 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
表21 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
表22 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
表23 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表24 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
表25 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
表26 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表27 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表28 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表29 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
表30 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電封裝結(jié)構(gòu)
表31 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
表32 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表33 2004-2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)
表34 2008年中國(guó)電源管理IC產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
表35 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
表36 2008年中國(guó)電源管理IC應(yīng)用結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
表37 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
表38 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
表39 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-Fairchild
表40 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-Fairchild
表41 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-ST
表42 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-ST
表43 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商評(píng)價(jià)-TI
2008-2009 nián zhōngguó bàndǎotǐ gōnglǜ qìjiàn shìchǎng yánjiū niándù bàogào
表44 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-TI
表45 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-On Semiconductor
表46 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析- On Semiconductor
表47 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-Infineon
表48 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-Infineon
表49 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-IR
表50 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-IR
表51 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略分析-Vishay
表52 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)策略SWOT分析-Vishay
圖目錄
圖1 2004-2008年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模
圖2 2004-2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
圖3 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
圖4 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖5 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖6 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模
圖7 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
圖8 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
圖9 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析
圖10 2009-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)分析
圖11 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
圖12 2004-2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模
圖13 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖14 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖15 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖16 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖17 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖18 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖19 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
圖20 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電流結(jié)構(gòu)
圖21 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
圖22 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)功能結(jié)構(gòu)
半導(dǎo)體パワーデバイスの2008年から2009年市場(chǎng)年報(bào)
圖23 2008年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖24 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
圖25 2004-2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模
圖26 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖27 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖28 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖29 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)
圖30 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖31 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)封裝結(jié)構(gòu)
圖32 2008年中國(guó)IGBT市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖33 2004-2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)
圖34 2008年中國(guó)電源管理IC產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
圖35 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
圖36 2008年中國(guó)電源管理IC應(yīng)用結(jié)構(gòu)及增長(zhǎng)
圖37 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)
圖38 2008年中國(guó)電源管理IC市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)
圖39 2008年中國(guó)功率器件市場(chǎng)廠商競(jìng)爭(zhēng)力分析
http://m.hczzz.cn/R_2009-07/2008_2009bandaotigonglvqijianshichan.html
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