半導(dǎo)體功率器件是電力電子系統(tǒng)的核心元件，近年來隨著新能源、電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域的發(fā)展而迎來了新的機(jī)遇。目前，半導(dǎo)體功率器件在材料、工藝、封裝技術(shù)等方面不斷創(chuàng)新，通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料，提高了器件的工作溫度、電壓等級(jí)和開關(guān)頻率。隨著電動(dòng)汽車市場的快速增長，半導(dǎo)體功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電等方面的應(yīng)用需求不斷增加，推動(dòng)了技術(shù)的快速迭代。此外，隨著智能制造的推進(jìn)，半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)更加注重自動(dòng)化和智能化，通過引入先進(jìn)制造設(shè)備、優(yōu)化生產(chǎn)流程等方式，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

　　未來，半導(dǎo)體功率器件作為電力電子系統(tǒng)的核心元件，近年來隨著新能源、電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域的發(fā)展而迎來了新的機(jī)遇。目前，半導(dǎo)體功率器件在材料、工藝、封裝技術(shù)等方面不斷創(chuàng)新，通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料，提高了器件的工作溫度、電壓等級(jí)和開關(guān)頻率。隨著電動(dòng)汽車市場的快速增長，半導(dǎo)體功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電等方面的應(yīng)用需求不斷增加，推動(dòng)了技術(shù)的快速迭代。此外，隨著智能制造的推進(jìn)，半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)更加注重自動(dòng)化和智能化，通過引入先進(jìn)制造設(shè)備、優(yōu)化生產(chǎn)流程等方式，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

　　研究領(lǐng)域：電源管理IC 、MOSFET、IGBT等

　　涉及廠商：Fairchild、ST、IR、On Semiconductor、TI等

　　《2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報(bào)告》推薦

　　在經(jīng)歷了2009年的下滑之后，隨著全球經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇，與2009年相比，2010年功率器件市場的實(shí)現(xiàn)大幅反彈，增速達(dá)30%左右。分領(lǐng)域來看，汽車電子領(lǐng)域依然是增速最快的領(lǐng)域，而筆記本、手機(jī)等產(chǎn)品產(chǎn)量的大幅增長則帶動(dòng)了計(jì)算機(jī)領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域功率器件市場的發(fā)展。從競爭格局上看，歐美廠商依舊占據(jù)中國功率器件市場競爭優(yōu)勢(shì)地位，MOSFET而言，飛兆、威世、英飛凌、IR仍處于領(lǐng)先地位，此外，中國臺(tái)灣企業(yè)和韓國企業(yè)也占有一定的市場份額。未來幾年，中國功率器件市場將重新回到平穩(wěn)快速的發(fā)展軌道上。

　　為了全面而準(zhǔn)確的反映中國功率器件市場地發(fā)展現(xiàn)狀以及未來趨勢(shì)，推出《2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報(bào)告》，將幫助業(yè)界廠商、投資者和相關(guān)政府機(jī)構(gòu)更準(zhǔn)確地把握中國功率器件市場的發(fā)展規(guī)律。

全.文：http://m.hczzz.cn/R_2011-02/2010_2011bandaotigonglvqijianshichan.html

　　& 深入、翔實(shí)的市場研究數(shù)據(jù)?；趯?duì)行業(yè)產(chǎn)品的深度研究，提供對(duì)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、應(yīng)用結(jié)構(gòu)等多個(gè)角度的市場數(shù)據(jù)，明晰市場發(fā)展方向。

　　& 全面、深刻的品牌競爭分析。從市場格局、競爭策略、SWOT分析等多個(gè)維度分析企業(yè)，評(píng)點(diǎn)市場領(lǐng)先要素。

　　& 科學(xué)、完整的未來發(fā)展預(yù)測。建立在各重點(diǎn)細(xì)分市場上的建模校驗(yàn)，并與相關(guān)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析，確保給出有價(jià)值的趨勢(shì)分析與定量預(yù)測結(jié)果。

　　《2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報(bào)告》全面總結(jié)了2010年中國功率器件市場的發(fā)展?fàn)顩r，全面分析了其推進(jìn)因素和市場特點(diǎn)，并對(duì)主要廠商進(jìn)行了客觀綜合的評(píng)價(jià)，通過大量的調(diào)研訪談和詳實(shí)準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)支撐，為客戶提供完整的中國功率器件市場信息，為企業(yè)提供有效的決策參考，報(bào)告主要為客戶提供了以下方面的內(nèi)容。

　　& 目前國內(nèi)功率器件市場規(guī)模及特點(diǎn)

　　& 按產(chǎn)品細(xì)分的功率器件市場情況

　　& 按應(yīng)用領(lǐng)域細(xì)分的功率器件市場情況

　　& 主要廠商分析

　　& 未來各個(gè)細(xì)分市場的預(yù)測分析

　　研究對(duì)象

　　主要結(jié)論

　　重要發(fā)現(xiàn)

　　一、2010年全球半導(dǎo)體功率器件市場概述

　　（一） 市場規(guī)模與增長

2010-2011 market research and analysis of semiconductor power devices

　?。ǘ?基本特點(diǎn)

　?。ㄈ?主要國家與地區(qū)

　　1、美國

　　2、歐洲

　　3、日本

　　二、2010年中國半導(dǎo)體功率器件市場概述

　?。ㄒ唬?市場規(guī)模與增長

　?。ǘ?基本特點(diǎn)

　?。ㄈ?市場結(jié)構(gòu)分析

　　1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

　　2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)

2010-2011年中國半導(dǎo)體功率器件市場研究分析報(bào)告

　　三、2011-2013年中國功率器件市場發(fā)展預(yù)測分析

　　（一） 規(guī)模預(yù)測分析

　?。ǘ?結(jié)構(gòu)預(yù)測分析

　　1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

　　2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)

　　四、2011-2013年中國功率器件市場趨勢(shì)預(yù)測

　?。ㄒ唬?市場發(fā)展趨勢(shì)

　　（二） 產(chǎn)品技術(shù)趨勢(shì)

　?。ㄈ?產(chǎn)品價(jià)格趨勢(shì)

　　五、2010年中國功率器件市場細(xì)分產(chǎn)品研究

　?。ㄒ唬?MOSFET

　?。ǘ?IGBT

　?。ㄈ?電源管理IC

2010-2011 nián zhōngguó bàndǎotǐ gōnglǜ qìjiàn shìchǎng yánjiū fēnxī bàogào

　　六、中國功率器件市場競爭力分析

　　（一） 整體競爭格局

　?。ǘ?重點(diǎn)廠商競爭策略與SWOT分析

　　1、Fairchild

　　2、ST

　　3、Vishay

　　4、……

　　七、建議

　　表目錄

　　2006-2010年中國功率器件市場規(guī)模

　　2010年中國功率器件市場產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

　　2010年中國功率器件市場應(yīng)用結(jié)構(gòu)

　　2010年中國MOSFET市場規(guī)模

半導(dǎo)體パワーデバイス2010から2011の市場調(diào)査および分析

　　2010年中國MOSFET市場應(yīng)用結(jié)構(gòu)

　　2010年中國MOSFET市場電壓結(jié)構(gòu)

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　　圖目錄

　　2006-2010年全球功率器件市場規(guī)模

　　2010年中國功率器件市場品牌結(jié)構(gòu)

　　2010年中國MOSFET市場品牌結(jié)構(gòu)

　　2010年中國IGBT市場品牌結(jié)構(gòu)

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　　http://m.hczzz.cn/R_2011-02/2010_2011bandaotigonglvqijianshichan.html

　　產(chǎn)業(yè)調(diào)研網(wǎng)

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