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2025年半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析 2010-2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究分析報(bào)告

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2010-2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究分析報(bào)告

報(bào)告編號(hào):08A27A8 CIR.cn ┊ 推薦:
  • 名 稱:2010-2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究分析報(bào)告
  • 編 號(hào):08A27A8 
  • 市場(chǎng)價(jià):電子版8200元  紙質(zhì)+電子版8500
  • 優(yōu)惠價(jià):電子版7380元  紙質(zhì)+電子版7680
  • 電 話:400 612 8668、010-6618 1099、66182099、66183099
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2010-2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究分析報(bào)告
字號(hào): 報(bào)告內(nèi)容:

  半導(dǎo)體功率器件是電力電子系統(tǒng)的核心元件,近年來隨著新能源、電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域的發(fā)展而迎來了新的機(jī)遇。目前,半導(dǎo)體功率器件在材料、工藝、封裝技術(shù)等方面不斷創(chuàng)新,通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料,提高了器件的工作溫度、電壓等級(jí)和開關(guān)頻率。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng),半導(dǎo)體功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電等方面的應(yīng)用需求不斷增加,推動(dòng)了技術(shù)的快速迭代。此外,隨著智能制造的推進(jìn),半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)更加注重自動(dòng)化和智能化,通過引入先進(jìn)制造設(shè)備、優(yōu)化生產(chǎn)流程等方式,提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

  未來,半導(dǎo)體功率器件作為電力電子系統(tǒng)的核心元件,近年來隨著新能源、電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域的發(fā)展而迎來了新的機(jī)遇。目前,半導(dǎo)體功率器件在材料、工藝、封裝技術(shù)等方面不斷創(chuàng)新,通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料,提高了器件的工作溫度、電壓等級(jí)和開關(guān)頻率。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng),半導(dǎo)體功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電等方面的應(yīng)用需求不斷增加,推動(dòng)了技術(shù)的快速迭代。此外,隨著智能制造的推進(jìn),半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)更加注重自動(dòng)化和智能化,通過引入先進(jìn)制造設(shè)備、優(yōu)化生產(chǎn)流程等方式,提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

  研究領(lǐng)域:電源管理IC 、MOSFET、IGBT等

  涉及廠商:Fairchild、ST、IR、On Semiconductor、TI等

  《2010-2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究分析報(bào)告》推薦

  在經(jīng)歷了2009年的下滑之后,隨著全球經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇,與2009年相比,2010年功率器件市場(chǎng)的實(shí)現(xiàn)大幅反彈,增速達(dá)30%左右。分領(lǐng)域來看,汽車電子領(lǐng)域依然是增速最快的領(lǐng)域,而筆記本、手機(jī)等產(chǎn)品產(chǎn)量的大幅增長(zhǎng)則帶動(dòng)了計(jì)算機(jī)領(lǐng)域、網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域功率器件市場(chǎng)的發(fā)展。從競(jìng)爭(zhēng)格局上看,歐美廠商依舊占據(jù)中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)地位,MOSFET而言,飛兆、威世、英飛凌、IR仍處于領(lǐng)先地位,此外,中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)和韓國(guó)企業(yè)也占有一定的市場(chǎng)份額。未來幾年,中國(guó)功率器件市場(chǎng)將重新回到平穩(wěn)快速的發(fā)展軌道上。

  為了全面而準(zhǔn)確的反映中國(guó)功率器件市場(chǎng)地發(fā)展現(xiàn)狀以及未來趨勢(shì),推出《2010-2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究分析報(bào)告》,將幫助業(yè)界廠商、投資者和相關(guān)政府機(jī)構(gòu)更準(zhǔn)確地把握中國(guó)功率器件市場(chǎng)的發(fā)展規(guī)律。

全.文:http://m.hczzz.cn/R_2011-02/2010_2011bandaotigonglvqijianshichan.html

  & 深入、翔實(shí)的市場(chǎng)研究數(shù)據(jù)?;趯?duì)行業(yè)產(chǎn)品的深度研究,提供對(duì)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、應(yīng)用結(jié)構(gòu)等多個(gè)角度的市場(chǎng)數(shù)據(jù),明晰市場(chǎng)發(fā)展方向。

  & 全面、深刻的品牌競(jìng)爭(zhēng)分析。從市場(chǎng)格局、競(jìng)爭(zhēng)策略、SWOT分析等多個(gè)維度分析企業(yè),評(píng)點(diǎn)市場(chǎng)領(lǐng)先要素。

  & 科學(xué)、完整的未來發(fā)展預(yù)測(cè)。建立在各重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)上的建模校驗(yàn),并與相關(guān)產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)進(jìn)行關(guān)聯(lián)分析,確保給出有價(jià)值的趨勢(shì)分析與定量預(yù)測(cè)結(jié)果。

  《2010-2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究分析報(bào)告》全面總結(jié)了2010年中國(guó)功率器件市場(chǎng)的發(fā)展?fàn)顩r,全面分析了其推進(jìn)因素和市場(chǎng)特點(diǎn),并對(duì)主要廠商進(jìn)行了客觀綜合的評(píng)價(jià),通過大量的調(diào)研訪談和詳實(shí)準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)支撐,為客戶提供完整的中國(guó)功率器件市場(chǎng)信息,為企業(yè)提供有效的決策參考,報(bào)告主要為客戶提供了以下方面的內(nèi)容。

  & 目前國(guó)內(nèi)功率器件市場(chǎng)規(guī)模及特點(diǎn)

  & 按產(chǎn)品細(xì)分的功率器件市場(chǎng)情況

  & 按應(yīng)用領(lǐng)域細(xì)分的功率器件市場(chǎng)情況

  & 主要廠商分析

  & 未來各個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的預(yù)測(cè)分析

  研究對(duì)象

  主要結(jié)論

  重要發(fā)現(xiàn)

  一、2010年全球半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)概述

 ?。ㄒ唬?市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)

2010-2011 market research and analysis of semiconductor power devices

  (二) 基本特點(diǎn)

 ?。ㄈ?主要國(guó)家與地區(qū)

  1、美國(guó)

  2、歐洲

  3、日本

  二、2010年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)概述

  (一) 市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)

 ?。ǘ?基本特點(diǎn)

  (三) 市場(chǎng)結(jié)構(gòu)分析

  1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

  2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)

2010-2011年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究分析報(bào)告

  三、2011-2013年中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析

 ?。ㄒ唬?規(guī)模預(yù)測(cè)分析

  (二) 結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析

  1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

  2、應(yīng)用結(jié)構(gòu)

  四、2011-2013年中國(guó)功率器件市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè)

 ?。ㄒ唬?市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)

 ?。ǘ?產(chǎn)品技術(shù)趨勢(shì)

  (三) 產(chǎn)品價(jià)格趨勢(shì)

  五、2010年中國(guó)功率器件市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品研究

  (一) MOSFET

 ?。ǘ?IGBT

  (三) 電源管理IC

2010-2011 nián zhōngguó bàndǎotǐ gōnglǜ qìjiàn shìchǎng yánjiū fēnxī bàogào

  六、中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力分析

 ?。ㄒ唬?整體競(jìng)爭(zhēng)格局

  (二) 重點(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略與SWOT分析

  1、Fairchild

  2、ST

  3、Vishay

  4、……

  七、建議

  表目錄

  2006-2010年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模

  2010年中國(guó)功率器件市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

  2010年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)

  2010年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模

半導(dǎo)體パワーデバイス2010から2011の市場(chǎng)調(diào)査および分析

  2010年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)

  2010年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu)

  ……

  圖目錄

  2006-2010年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模

  2010年中國(guó)功率器件市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)

  2010年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)

  2010年中國(guó)IGBT市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu)

  ……

  

  

  ……

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