| 半導(dǎo)體功率器件是電力電子系統(tǒng)的核心元件，近年來隨著新能源、電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域的發(fā)展而迎來了新的機(jī)遇。目前，半導(dǎo)體功率器件在材料、工藝、封裝技術(shù)等方面不斷創(chuàng)新，通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料，提高了器件的工作溫度、電壓等級(jí)和開關(guān)頻率。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，半導(dǎo)體功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電等方面的應(yīng)用需求不斷增加，推動(dòng)了技術(shù)的快速迭代。此外，隨著智能制造的推進(jìn)，半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)更加注重自動(dòng)化和智能化，通過引入先進(jìn)制造設(shè)備、優(yōu)化生產(chǎn)流程等方式，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。 | |
| 未來，半導(dǎo)體功率器件作為電力電子系統(tǒng)的核心元件，近年來隨著新能源、電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域的發(fā)展而迎來了新的機(jī)遇。目前，半導(dǎo)體功率器件在材料、工藝、封裝技術(shù)等方面不斷創(chuàng)新，通過采用SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體材料，提高了器件的工作溫度、電壓等級(jí)和開關(guān)頻率。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，半導(dǎo)體功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電等方面的應(yīng)用需求不斷增加，推動(dòng)了技術(shù)的快速迭代。此外，隨著智能制造的推進(jìn)，半導(dǎo)體功率器件的生產(chǎn)更加注重自動(dòng)化和智能化，通過引入先進(jìn)制造設(shè)備、優(yōu)化生產(chǎn)流程等方式，提高了生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。 | |
| 研究對(duì)象 | |
| 主要結(jié)論 | |
| 重要發(fā)現(xiàn) | |
| 一、2009年全球半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)概述 | |
| 詳^情：http://m.hczzz.cn/R_2010-02/2009_2010bandaotigonglvqijianshichan.html | |
| ?。ㄒ唬┦袌?chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng) | |
| （二）基本特點(diǎn) | |
| 1、市場(chǎng)呈現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng) | |
| 2、局部市場(chǎng)表現(xiàn)各有不同 | |
| ?。ㄈ┲饕獓?guó)家與地區(qū) | |
| 1、美國(guó) | |
| 2、歐洲 | |
| 3、日本 | |
| 二、2009年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)概述 | |
| ?。ㄒ唬┦袌?chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng) | |
| ?。ǘ┗咎攸c(diǎn) | |
| 1、電源管理IC市場(chǎng)需求不振 | |
| 2、3G、照明成為MOSFET市場(chǎng)發(fā)展亮點(diǎn) | |
| 2009-2010 Annual Report on semiconductor power devices market | |
| 3、本土企業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力有所提升 | |
| ?。ㄈ┦袌?chǎng)結(jié)構(gòu)分析 | |
| 1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu) | |
| 2、應(yīng)用結(jié)構(gòu) | |
| 三、2010-2012年中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展預(yù)測(cè)分析 | |
| ?。ㄒ唬?010-2012年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)分析 | |
| （二）2010-2012年中國(guó)功率器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)分析 | |
| 1、產(chǎn)品結(jié)構(gòu) | |
| 2、應(yīng)用結(jié)構(gòu) | |
| 四、2010-2012年中國(guó)功率器件市場(chǎng)趨勢(shì)預(yù)測(cè) | |
| ?。ㄒ唬┊a(chǎn)品與技術(shù) | |
| 2009-2010年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件市場(chǎng)研究年度報(bào)告 | |
| （二）價(jià)格 | |
| ?。ㄈ┣?/td> | |
| 五、2009年中國(guó)功率器件市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品研究 | |
| ?。ㄒ唬㎝OSFET | |
| 1、市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng) | |
| 2、電壓結(jié)構(gòu) | |
| 3、應(yīng)用結(jié)構(gòu) | |
| 4、封裝結(jié)構(gòu) | |
| ?。ǘ㊣GBT | |
| ?。ㄈ╇娫垂芾鞩C | |
| 六、中國(guó)功率器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力分析 | |
| （一）整體競(jìng)爭(zhēng)格局 | |
| 2009-2010 nián zhōngguó bàndǎotǐ gōnglǜ qìjiàn shìchǎng yánjiū niándù bàogào | |
| ?。ǘ┲攸c(diǎn)廠商競(jìng)爭(zhēng)策略與SWOT分析 | |
| 1、Fairchild | |
| 2、ST | |
| 3、Vishay | |
| 4、...... | |
| 七、建議 | |
| 表目錄 | |
| *2006-2009年中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模 | |
| *2009年中國(guó)功率器件市場(chǎng)結(jié)構(gòu) | |
| *2009年中國(guó)功率器件市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu) | |
| *2009年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模 | |
| *2009年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu) | |
| 半導(dǎo)體パワーデバイス市場(chǎng)で2009年から2010年年次報(bào)告書 | |
| *2009年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)電壓結(jié)構(gòu) | |
| ...... | |
| 圖目錄 | |
| *2006-2009年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模 | |
| *2009年中國(guó)功率器件市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu) | |
| *2009年中國(guó)MOSFET市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu) | |
| *2009年中國(guó)IGBT市場(chǎng)品牌結(jié)構(gòu) | |
| ...... | |
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略……
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